G.Skill Arbeitsspeicher »DIMM 32 GB DDR4-3600 Quad-Kit«
- Kapazität: 32 GB
- Timings: CL17 18-18-38
- Module: 4 Stück
- Standard: DDR4-3600 (PC4-28800)
- Spannung: 1,35 Volt
- 100 Tage Zahlpause
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G.Skill Arbeitsspeicher »DIMM 32 GB DDR4-3600 Quad-Kit«
Artikel-Nr. 6104441599
- Produkteigenschaften
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Arbeitsspeicher DIMM 32 GB DDR4-3600 Quad-Kit
Das G.Skill F4-3600C17Q-32GTZR ist ein Dual-Channel-Kit aus vier 8-GB-DDR4-3600-Speichermodulen (PC4-28800) aus der Trident Z RGB Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die Module unterstützen Timings von 17-18-18-38 bei 3600 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Ein Merkmal der Trident Z RGB Serie ist die individuell einstellbare RGB LED-Beleuchtung. Die Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.
Abfrage - Suchwörter: arbeitsspeicher, ram, dimm, modul, speichermodul, ddr4, trident, rgb, led
Produkttyp: Arbeitsspeicher
Hersteller: G.Skill
Marke: G.Skill
Modellbezeichnung: F4-3600C17Q-32GTZR
Serie: Trident Z RGB
Bauform: DIMM
Kapazität: 32.768 MB
Typ: SDRAM-DDR4
Anschluss: 288-Pin
Spannung: 1,35 V
Standard: DDR4-3600 (PC4-28800)
Hersteller-Artikelnummer: F4-3600C17Q-32GTZR
Weitere Infos: DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Beschreibung - Serie: Trident Z RGB
Speicher Allgemein - Anzahl Module: 4
Speicher Allgemein - Physikalischer Takt: 1.800 MHz
Speicher Allgemein - Speicherspannung bis: 1,35 V
Speicher Allgemein - Speicherspannung von: 1,2 V
Speicher Features - XMP: Ja
Speicher Features - XMP-Version: 2.0
Speicher Timing - tCL (CAS Latency): 17.0
Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time): 38.0
Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay): 18
Speicher Timing - tRP (RAS Precharge Time): 18
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