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G.Skill Arbeitsspeicher »DIMM 32 GB DDR4-2800-16 Ripjaws 4 Black K4 GSK«
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G.Skill Arbeitsspeicher »DIMM 32 GB DDR4-2800-16 Ripjaws 4 Black K4 GSK«


  • Kapazität: 32 GB
  • Timings: CL16 16-16-36
  • Module: 4 Stück
  • Standard: DDR4-2800 (PC4-22400)
  • Spannung: 1,2 Volt


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G.Skill Arbeitsspeicher »DIMM 32 GB DDR4-2800-16 Ripjaws 4 Black K4 GSK«

Artikel-Nr. 6214424599
Arbeitsspeicher DIMM 32 GB DDR4-2800-16 Ripjaws 4 Black K4 GSK

Der G.Skill F4-2800C16Q-32GRK Speicher aus der Ripjaws 4 Black Serie ist für das Übertakten von Hochleistungs-PCs konzipiert. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die Module unterstützen Timings von 16-16-16-36 bei 2800 MHz und benötigen 1,2 V Spannung. Der DDR4-Formfaktor ist für die neuen Intel X99er-Mainboards optimiert und bietet höhere Frequenzen, mehr Bandbreite und weniger Stromverbrauch als DDR3-Module. Ebenfalls gibt es XMP-2.0-Support für störungsfreies, automatisches Übertakten.

Gewicht in kg: 0,216
Produkttyp: Arbeitsspeicher
Hersteller: G.Skill
Marke: G.Skill
Modellbezeichnung: F4-2800C16Q-32GRK
Serie: Ripjaws 4 Black
Bauform: DIMM
Kapazität: 32.768 MB
Typ: SDRAM-DDR4
Anschluss: 288-Pin
Spannung: 1,2 V
Standard: DDR4-2800 (PC4-22400)
Hersteller-Artikelnummer: F4-2800C16Q-32GRK
Weitere Infos: DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability"
Beschreibung - Serie: Ripjaws 4 Black
Speicher Allgemein - Anzahl Module: 4
Speicher Allgemein - Physikalischer Takt: 1.400 MHz
Speicher Allgemein - Speicherspannung bis: 1,2 V
Speicher Allgemein - Speicherspannung von: 1,2 V
Speicher Features - XMP: Ja
Speicher Features - XMP-Version: 2.0
Speicher Timing - tCL (CAS Latency): 16.0
Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time): 36.0
Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay): 16
Speicher Timing - tRP (RAS Precharge Time): 16
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