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G.Skill Arbeitsspeicher »DIMM 16GB DDR4-2666 Kit«
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G.Skill Arbeitsspeicher »DIMM 16GB DDR4-2666 Kit«


  • Kapazität: 16 GB
  • Timings: CL15 15-15-35
  • Module: 2 Stück
  • Standard: DDR4-2666 (PC4-21300)
  • Spannung: 1,2 Volt


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G.Skill Arbeitsspeicher »DIMM 16GB DDR4-2666 Kit«

Artikel-Nr. 2036912799
Arbeitsspeicher DIMM 16GB DDR4-2666 Kit

Das Dual-Channel-Kit F4-2666C15D-16GRR von G.Skill besteht aus zwei 8-GB-DDR4-2666-Speichermodulen (PC4-21300) der Ripjaws4-Serie von G.Skill. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module sind auf Latenzen von 15-15-15-35 bei 2666 MHz programmiert und besitzen vergoldete Kontakte. Der Ripjaws 4 Kühlkörper sorgt für eine effiziente Ableitung der Wärme und mit einer Bauhöhe von 40mm ist er mit einer Vielzahl von CPU-Kühlern nutzbar. Die aktuelle Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.

Gewicht in kg: 0,225
Produkttyp: Arbeitsspeicher
Hersteller: G.Skill
Marke: G.Skill
Farbe: rot
Modellbezeichnung: F4-2666C15D-16GRR
Serie: Ripjaws 4
Bauform: DIMM
Kapazität: 16.384 MB
Typ: SDRAM-DDR4
Anschluss: 288-Pin
Spannung: 1,2 V
Standard: DDR4-2666 (PC4-21300)
Hersteller-Artikelnummer: F4-2666C15D-16GRR
Weitere Infos: DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Beschreibung - Serie: Ripjaws 4
Speicher Allgemein - Anzahl Module: 2
Speicher Allgemein - Physikalischer Takt: 1.333 MHz
Speicher Allgemein - Speicherspannung bis: 1,2 V
Speicher Allgemein - Speicherspannung von: 1,2 V
Speicher Features - XMP: Ja
Speicher Features - XMP-Version: 2.0
Speicher Modulbestückung - zweiseitig: Ja
Speicher Timing - tCL (CAS Latency): 15.0
Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time): 35.0
Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay): 15
Speicher Timing - tRP (RAS Precharge Time): 15
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