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G.Skill Arbeitsspeicher »DIMM 16 GB DDR4-3400 Quad-Kit«
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G.Skill Arbeitsspeicher »DIMM 16 GB DDR4-3400 Quad-Kit«


  • Kapazität: 16 GB
  • Timings: CL16 18-18-38
  • Module: 4 Stück
  • Standard: DDR4-3400 (PC4-27200)
  • Spannung: 1,35 Volt


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G.Skill Arbeitsspeicher »DIMM 16 GB DDR4-3400 Quad-Kit«

Artikel-Nr. 7072822699
Arbeitsspeicher DIMM 16 GB DDR4-3400 Quad-Kit

Der G.Skill F4-3400C16Q-16GRBD ist ein Quad-Channel-Kit aus vier 4-GB-DDR4-3400-Speichermodulen (PC4-27200) aus der Ripjaws 4 Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen Timings von 16-16-16-36 bei 3400 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Die Ripjaws 4 Serie wurde speziell für eine absolut solide Leistung auch bei anspruchsvollster Nutzung mit Blick auf Power User entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit, auch wenn die anspruchsvollsten Anwendungen laufen.

Gewicht in kg: 0,225
Produkttyp: Arbeitsspeicher
Hersteller: G.Skill
Marke: G.Skill
Farbe: blau
Modellbezeichnung: F4-3400C16Q-16GRBD
Serie: Ripjaws 4
Bauform: DIMM
Kapazität: 16.384 MB
Typ: SDRAM-DDR4
Anschluss: 288-Pin
Spannung: 1,35 V
Standard: DDR4-3400 (PC4-27200)
Hersteller-Artikelnummer: F4-3400C16Q-16GRBD
Weitere Infos: DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Beschreibung - Serie: Ripjaws 4
Speicher Allgemein - Anzahl Module: 4
Speicher Allgemein - Physikalischer Takt: 1.700 MHz
Speicher Allgemein - Speicherspannung bis: 1,35 V
Speicher Allgemein - Speicherspannung von: 1,2 V
Speicher Features - XMP: Ja
Speicher Features - XMP-Version: 2.0
Speicher Timing - tCL (CAS Latency): 16.0
Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time): 38.0
Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay): 18
Speicher Timing - tRP (RAS Precharge Time): 18
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