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Ballistix Arbeitsspeicher »DIMM 4GB DDR4-2666«
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Ballistix Arbeitsspeicher »DIMM 4GB DDR4-2666«

Ballistix Arbeitsspeicher »DIMM 4GB DDR4-2666«


  • Kapazität: 4 GB
  • Timings: CL16
  • Module: 1 Stück
  • Standard: DDR4-2666 (PC4-21300)
  • Spannung: 1,2 Volt


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Ballistix Arbeitsspeicher »DIMM 4GB DDR4-2666«

Artikel-Nr. 769369P
Arbeitsspeicher DIMM 4GB DDR4-2666

Dank der schnelleren Burst-Zugriffsgeschwindigkeiten, die nur auf DDR4- Architektur möglich sind, maximiert Ballistix Elite DDR4 die Leistung. Der Ballistix Elite DDR4 Speicher nutzt die neuesten Fortschritte der Energieeffizienz und ist so ausgelegt, das er weniger Spannung für inhärente Energiegewinne benötigt. Gewappnet mit einem Wärmefühler und dem hochleistungsfähigen Ballistix M.O.D. Hilfsprogramm für Echtzeit-Temperaturüberwachung holt der Ballistix Elite DDR4 bis zu 40 % mehr Leistungseffizienz aus dem Speicher.

Produkttyp: Arbeitsspeicher
Hersteller: Ballistix
Marke: Ballistix
Gerätetyp: Speicher
Modellbezeichnung: BLE4G4D26AFEA
Serie: Ballistix Elite
Bauform: DIMM
Kapazität: 4.096 MB
Typ: SDRAM-DDR4
Anschluss: 288-Pin
Spannung: 1,2 V
Standard: DDR4-2666 (PC4-21300)
Hauptfarbe: Keine Farbangabe
Hersteller-Artikelnummer: BLE4G4D26AFEA
Weitere Infos: DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Speicher Allgemein - Anzahl Module: 1
Speicher Allgemein - Physikalischer Takt: 1.333 MHz
Speicher Allgemein - Speicherspannung bis: 1,2 V
Speicher Allgemein - Speicherspannung von: 1,2 V
Speicher Chipkonfiguration - Organisation Speicherchips: 512Mx64
Speicher Features - XMP: Ja
Speicher Features - XMP-Version: 2.0
Speicher Timing - tCL (CAS Latency): 16.0
Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay): 17
Speicher Timing - tRP (RAS Precharge Time): 17

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