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Corsair Arbeitsspeicher »DIMM 128 GB DDR4-4000 Octo-Kit«
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Corsair Arbeitsspeicher »DIMM 128 GB DDR4-4000 Octo-Kit«


  • Kapazität: 128 GB
  • Timings: CL19 23-23-45
  • Module: 8 Stück
  • Standard: DDR4-4000 (PC4-32000)
  • Spannung: 1,35 Volt


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Artikel-Nr. 1169005199
Arbeitsspeicher DIMM 128 GB DDR4-4000 Octo-Kit

Das Corsair CMK128GX4M8X4000C19 ist ein Kit aus acht 16-GB-DDR4-4000-Speichermodulen (PC4-32000) aus der Vengeance LPX Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 128 GB. Die Module unterstützen Timings von 19-23-23-45 bei 4000 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt. Die Vengeance LPX Serie wurde speziell für eine absolut solide Leistung auch bei anspruchsvollster Nutzung mit Blick auf Power User entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit, auch wenn die anspruchsvollsten Anwendungen laufen.

Produkttyp: Arbeitsspeicher
Hersteller: Corsair
Marke: Corsair
Farbe: schwarz
Modellbezeichnung: CMK128GX4M8X4000C19
Serie: Vengeance LPX
Bauform: DIMM
Kapazität: 131.072 MB
Typ: SDRAM-DDR4
Anschluss: 288-Pin
Spannung: 1,35 V
Standard: DDR4-4000 (PC4-32000)
Hersteller-Artikelnummer: CMK128GX4M8X4000C19
Weitere Infos: DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Beschreibung - Serie: Vengeance LPX
Speicher Allgemein - Anzahl Module: 8
Speicher Allgemein - Physikalischer Takt: 2.000 MHz
Speicher Allgemein - Speicherspannung bis: 1,35 V
Speicher Allgemein - Speicherspannung von: 1,2 V
Speicher Features - XMP: Ja
Speicher Features - XMP-Version: 2.0
Speicher Timing - tCL (CAS Latency): 19.0
Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time): 45.0
Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay): 23
Speicher Timing - tRP (RAS Precharge Time): 23


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